RF1S30N06LESMR4365

RF1S30N06LESMR4365
Mfr. #:
RF1S30N06LESMR4365
Produttore:
Harris Semiconductor
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Nuovo da questo produttore.
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RF1S30N06LESMR4365 Scheda dati
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RF1S30N06LES, RF1S30N06LE, RF1S30N0, RF1S30N, RF1S30, RF1S3, RF1S, RF1
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Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
RF1S30N06LESM9AHarris Semiconductor30A, 60V, 0.047ohm, N-Channel, POWER MOSFET
RoHS: Not Compliant
1755
  • 1000:$1.3900
  • 500:$1.4700
  • 100:$1.5300
  • 25:$1.5900
  • 1:$1.7200
RF1S30N06LESM9AFairchild Semiconductor CorporationPower Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
RoHS: Not Compliant
Europe - 140296
    Immagine Parte # Descrizione
    RF1S30N06LE

    Mfr.#: RF1S30N06LE

    OMO.#: OMO-RF1S30N06LE-1190

    Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
    RF1S30N06LESM

    Mfr.#: RF1S30N06LESM

    OMO.#: OMO-RF1S30N06LESM-1190

    Nuovo e originale
    RF1S30N06LESM 9AR4365

    Mfr.#: RF1S30N06LESM 9AR4365

    OMO.#: OMO-RF1S30N06LESM-9AR4365-1190

    Nuovo e originale
    RF1S30N06LESM9A

    Mfr.#: RF1S30N06LESM9A

    OMO.#: OMO-RF1S30N06LESM9A-1190

    Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
    RF1S30N06LESM9AR4365

    Mfr.#: RF1S30N06LESM9AR4365

    OMO.#: OMO-RF1S30N06LESM9AR4365-1190

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    RF1S30N06LESMR4365

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    OMO.#: OMO-RF1S30N06LESMR4365-1190

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    RF1S30N06LSM

    Mfr.#: RF1S30N06LSM

    OMO.#: OMO-RF1S30N06LSM-1190

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