NTD12N10-1G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

12 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

165 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

56.6 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Altezza:

6.35 mm

Lunghezza:

6.73 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

MOSFET

Larghezza:

2.38 mm

Marca:

ON Semiconductor

Transconduttanza diretta - Min:

7 S

Tempo di caduta:

32 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

30 ns

Quantità confezione di fabbrica:

75

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

22 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

11 ns

Unità di peso:

0.139332 oz

Tags

NTD12N, NTD12, NTD1, NTD