PBSS5250T,215

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Nexperia

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-236AB-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

50 V

Collettore-tensione di base VCBO:

50 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Corrente massima del collettore CC:

2 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

100 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

200 at 500 mA, 2 V

Altezza:

1 mm

Lunghezza:

3 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

1.4 mm

Marca:

Nexperia

Guadagno base/collettore DC hfe min:

200 at 500 mA, 2 V, 200 at 1 A, 2 V, 130 at 2 A, 2 V

Pd - Dissipazione di potenza:

480 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Qualificazione:

AEC-Q101

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

PBSS5250T T/R

Tags

PBSS5250T, PBSS5250, PBSS525, PBSS52, PBSS5, PBSS, PBS