CMBT5551

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Rectron

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-23-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

160 V

Collettore-tensione di base VCBO:

180 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

6 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

0.2 V

Corrente massima del collettore CC:

0.6 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

300 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

CMBT

Guadagno di corrente CC hFE Max:

250 at 10 mA, 5 V

Confezione:

Bobina

Marca:

Rectron

Guadagno base/collettore DC hfe min:

80 at 10 mA, 5 V

Pd - Dissipazione di potenza:

325 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.000282 oz

Tags

CMBT555, CMBT55, CMBT5, CMBT, CMB