2SK1829TE85LF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-323-3

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

50 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

20 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Pd - Dissipazione di potenza:

100 mW

Configurazione:

Separare

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.9 mm

Lunghezza:

2 mm

Serie:

2SK1829

Tipo:

MOSFET a piccolo segnale RF

Larghezza:

1.25 mm

Marca:

Toshiba

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Unità di peso:

0.000176 oz

Tags

2SK1829T, 2SK1829, 2SK182, 2SK18, 2SK1, 2SK