MJE5730G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

300 V

Collettore-tensione di base VCBO:

300 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

1 V

Corrente massima del collettore CC:

1 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

10 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

MJE5730

Altezza:

15.75 mm

Lunghezza:

10.53 mm

Confezione:

Tubo

Larghezza:

4.83 mm

Marca:

ON Semiconductor

Corrente continua del collettore:

1 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

30

Pd - Dissipazione di potenza:

40 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.211644 oz

Tags

MJE573, MJE57, MJE5, MJE