STS8C5H30L

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SO-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

5.4 A, 8 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

22 mOhms, 55 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

7 nC, 12.5 nC

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.6 W, 2 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.65 mm

Lunghezza:

5 mm

Serie:

STS8C5H30L

Tipo di transistor:

1 N-Channel Power MOSFET, 1 P-Channel Power MOSFET

Tipo:

MOSFET

Larghezza:

4 mm

Marca:

STMicroelectronics

Transconduttanza diretta - Min:

8.5 S, 10 S

Tempo di caduta:

8 ns, 35 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

14.5 ns, 35 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

23 ns, 125 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

12 ns, 25 ns

Unità di peso:

0.002998 oz

Tags

STS8C5, STS8C, STS8, STS