CSD18535KCS

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Texas Instruments

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

E

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

279 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

2 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.4 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

63 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

300 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

NexFET

Confezione:

Tubo

Altezza:

16.51 mm

Lunghezza:

10.67 mm

Serie:

CSD18535KCS

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

4.7 mm

Marca:

Texas Instruments

Transconduttanza diretta - Min:

263 S

Tempo di caduta:

3 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

3 ns

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

19 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

9 ns

Unità di peso:

0.063493 oz

Tags

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