QH8JA1TCR

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TSMT-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

28 mOhms, 28 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

10.2 nC, 10.2 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.5 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

2 P-Channel

Marca:

Semiconduttore ROHM

Transconduttanza diretta - Min:

5.5 S, 5.5 S

Tempo di caduta:

65 ns, 65 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

32 ns, 32 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

70 ns, 70 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

11 ns, 11 ns

Parte # Alias:

QH8JA1

Tags

QH8