BCM856BSH

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Nexperia

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TSSOP-6

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Dual

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

65 V

Collettore-tensione di base VCBO:

80 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

200 mV

Corrente massima del collettore CC:

100 mA

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

175 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Confezione:

Bobina

Marca:

Nexperia

Guadagno base/collettore DC hfe min:

200

Pd - Dissipazione di potenza:

200 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Qualificazione:

AEC-Q101

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.000265 oz

Tags

BCM856B, BCM856, BCM85, BCM8, BCM