IXTZ550N055T2

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DE-475-6

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

55 V

Id - Corrente di scarico continua:

550 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

1 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

595 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

600 W

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

HiPerFET

Confezione:

Tubo

Altezza:

3.18 mm

Lunghezza:

21.08 mm

Serie:

IXTZ550N055

Tipo:

TrenchT2 GigaMOS Power MOSFET

Larghezza:

23.11 mm

Marca:

IXYS

Transconduttanza diretta - Min:

95 S

Tempo di caduta:

230 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

40 ns

Quantità confezione di fabbrica:

20

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

90 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

45 ns

Unità di peso:

0.105822 oz

Tags

IXT