CSD16340Q3T

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Texas Instruments

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

N

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

VSON-Clip-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

25 V

Id - Corrente di scarico continua:

60 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

5.5 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

600 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V, 8 V

Qg - Carica cancello:

9.2 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

3 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

NexFET

Confezione:

Bobina

Altezza:

1 mm

Lunghezza:

3.3 mm

Serie:

CSD16340Q3

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

3.3 mm

Marca:

Texas Instruments

Transconduttanza diretta - Min:

121 S

Tempo di caduta:

5.2 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

16.1 ns

Quantità confezione di fabbrica:

250

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

13.8 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

4.8 ns

Unità di peso:

0.001541 oz

Tags

CSD16340, CSD1634, CSD163, CSD16, CSD1, CSD