RSJ400N10TL

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-263-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

40 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

19 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

90 nC

Pd - Dissipazione di potenza:

50 W

Configurazione:

Separare

Confezione:

Bobina

Serie:

RSJ400N10

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Semiconduttore ROHM

Tempo di caduta:

250 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

80 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

205 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

25 ns

Parte # Alias:

RSJ400N10

Unità di peso:

0.068654 oz

Tags

RSJ400N1, RSJ40, RSJ4, RSJ