NTLUS3C18PZTBG

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

UDFN-6

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

12 V

Id - Corrente di scarico continua:

7 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

24 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

8 V

Qg - Carica cancello:

15.8 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.71 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.5 mm

Lunghezza:

1.6 mm

Prodotto:

MOSFET di potenza

Tipo:

-

Larghezza:

1.6 mm

Marca:

ON Semiconductor

Transconduttanza diretta - Min:

21.8 S

Tempo di caduta:

59 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

52.5 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

40 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

8.5 ns

Tags

NTLUS3, NTLUS, NTLU, NTL