TK65G10N1,RQ

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

D2PAK-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

136 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

4.5 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

81 nC

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

156 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

10.4 mm

Lunghezza:

10 mm

Serie:

TK65G10N1

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

4.5 mm

Marca:

Toshiba

Tempo di caduta:

26 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

19 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

85 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

44 ns

Unità di peso:

0.139332 oz

Tags

TK65G10N1, TK65G, TK65, TK6