STS8DN3LLH5

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOIC-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

10 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

15.5 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

22 V

Qg - Carica cancello:

5.4 nC

Pd - Dissipazione di potenza:

2.7 W

Configurazione:

Dual

Nome depositato:

STRIPFET

Confezione:

Bobina

Serie:

STS8DN3LLH5

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Marca:

STMicroelectronics

Tempo di caduta:

3.5 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

4.2 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

21.1 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

4 ns

Unità di peso:

0.019048 oz

Tags

STS8D, STS8, STS