NILMS4501NR2

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

N

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

QFN-4

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

24 V

Id - Corrente di scarico continua:

9.5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

12 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.7 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.9 mm

Lunghezza:

6.2 mm

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Tipo:

MOSFET

Larghezza:

5.2 mm

Marca:

ON Semiconductor

Transconduttanza diretta - Min:

23 S

Tempo di caduta:

6 ns, 6.5 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

15 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

17 ns, 22.5 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

12 ns, 8.5 ns

Tags

NIL