BC858B TR

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore centrale

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-23-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

30 V

Collettore-tensione di base VCBO:

30 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

0.65 V

Corrente massima del collettore CC:

200 mA

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

100 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

BC858B

Guadagno di corrente CC hFE Max:

475 at 2 mA, 5 V

Confezione:

Bobina

Marca:

Semiconduttore centrale

Corrente continua del collettore:

100 mA

Guadagno base/collettore DC hfe min:

220 at 2 mA, 5 V

Pd - Dissipazione di potenza:

350 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

BC858B PBFREE TR

Tags

BC858BT, BC858B, BC858, BC85, BC8