DMG6898LSDQ-13

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SO-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

9.5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

11 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

500 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

12 V

Qg - Carica cancello:

26 nC, 26 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.28 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Confezione:

Bobina

Serie:

DMG6898

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Tempo di caduta:

12.33 ns, 12.33 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

12.49 ns, 12.49 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

35.89 ns, 35.89 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

11.67 ns, 11.67 ns

Unità di peso:

0.002610 oz

Tags

DMG6898LSD, DMG68, DMG6, DMG