QSX1TR

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

12 V

Collettore-tensione di base VCBO:

15 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

6 V

Corrente massima del collettore CC:

6 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

250 MHz

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

QSX1

Guadagno di corrente CC hFE Max:

270 at 500 mA, 2 V

Altezza:

1.1 mm

Lunghezza:

2.9 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

1.6 mm

Marca:

Semiconduttore ROHM

Guadagno base/collettore DC hfe min:

270

Pd - Dissipazione di potenza:

1250 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

QSX1

Tags

QSX