MRF9120LR5

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

NXP

Categoria di prodotto:

Transistor MOSFET RF

RoHS:

Y

Polarità del transistor:

Canale N

Tecnologia:

si

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

65 V

Guadagno:

16 dB

Potenza di uscita:

26 W

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

375B-04

Confezione:

Bobina

Configurazione:

Dual

Altezza:

5.69 mm

Lunghezza:

34.16 mm

Frequenza operativa:

865 MHz to 895 MHz

Tipo:

MOSFET di potenza RF

Larghezza:

10.31 mm

Marca:

NXP / Freescale

Modalità canale:

Aumento

Pd - Dissipazione di potenza:

250 W

Tipologia di prodotto:

Transistor MOSFET RF

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

MOSFET

Vgs - Tensione Gate-Source:

- 0.5 V, 15 V

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3 V

Tags

MRF9120L, MRF912, MRF91, MRF9, MRF