BC546BTAR

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-92-3 Kinked Lead

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

65 V

Collettore-tensione di base VCBO:

80 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

6 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

200 mV

Corrente massima del collettore CC:

0.1 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

300 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Altezza:

4.58 mm

Lunghezza:

4.58 mm

Confezione:

Pacchetto munizioni

Larghezza:

3.86 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Corrente continua del collettore:

0.1 A

Pd - Dissipazione di potenza:

500 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

2000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.008466 oz

Tags

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