QPD1008L

QPD1008L
Mfr. #:
QPD1008L
Produttore:
Qorvo
Descrizione:
RF TRANSISTOR 125W 50V NI-360
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
QPD1008L Scheda dati
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QPD100, QPD10, QPD1, QPD
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***W
RF Transistor, DC - 3.2 GHz, 125 W, 50 V, GaN, Eared NI-360
***hardson RFPD
RF POWER TRANSISTOR
QPD GaN RF Transistors
Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
QPD1008L
DISTI # QPD1008L-ND
RF Micro Devices IncRF TRANSISTOR 125W 50V NI-360
RoHS: Compliant
Container: Bulk
Limited Supply - Call
    QPD1008L
    DISTI # 772-QPD1008L
    QorvoRF JFET Transistors DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
    RoHS: Compliant
    43
    • 1:$200.0000
    • 25:$173.0000
    Immagine Parte # Descrizione
    QPD1018

    Mfr.#: QPD1018

    OMO.#: OMO-QPD1018

    RF JFET Transistors 500 Watt, 50 Volt, 2.7 - 3.1 GHz, GaN RF IMFET
    QPD1016

    Mfr.#: QPD1016

    OMO.#: OMO-QPD1016

    RF JFET Transistors 500 Watt, 50 Volt, DC-1.7 GHz, GaN RF Transistor
    QPD1823

    Mfr.#: QPD1823

    OMO.#: OMO-QPD1823

    RF JFET Transistors 1.8-2.4GHz GaN 220W 48V
    QPD1881L

    Mfr.#: QPD1881L

    OMO.#: OMO-QPD1881L

    RF JFET Transistors 400 Watt, 50 Volt, 2.7-2.9 GHz, GaN RF Transistor
    QPD1025

    Mfr.#: QPD1025

    OMO.#: OMO-QPD1025

    RF MOSFET Transistors 1-1.1GHz 1800 Watt Gain 22.5dB 65V GaN
    QPD1003

    Mfr.#: QPD1003

    OMO.#: OMO-QPD1003-RFMD

    RF TRANSISTOR
    QPD1008

    Mfr.#: QPD1008

    OMO.#: OMO-QPD1008-1152

    RF JFET Transistors DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
    QPD1016

    Mfr.#: QPD1016

    OMO.#: OMO-QPD1016-1152

    RF JFET Transistors 3V GSM PAin MLP (Pb-Free)
    QPD1025L

    Mfr.#: QPD1025L

    OMO.#: OMO-QPD1025L-1152

    RF JFET Transistors 1-1.1GHz 1500 Watt Gain 22.9dB 65V
    QPD1010-EVB1

    Mfr.#: QPD1010-EVB1

    OMO.#: OMO-QPD1010-EVB1-1152

    RF Development Tools DC-4GHz 10W 28-50V Eval Board
    Disponibilità
    Azione:
    Available
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    2500
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    Prezzo unitario
    est. Prezzo
    1
    259,50 USD
    259,50 USD
    10
    246,52 USD
    2 465,25 USD
    100
    233,55 USD
    23 355,00 USD
    500
    220,58 USD
    110 287,50 USD
    1000
    207,60 USD
    207 600,00 USD
    A causa della scarsità di semiconduttori dal 2021, il prezzo inferiore è il prezzo normale prima del 2021. Si prega di inviare informazioni per confermare.
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