DMT10H025SK3-13

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SO-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

7.4 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

23 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

21.4 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

12.9 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Marca:

Diodi incorporati

Tempo di caduta:

13.7 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

11.2 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

27.5 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

8.2 ns

Unità di peso:

0.002610 oz

Tags

DMT10H0, DMT10, DMT1, DMT