A2T21H141W24SR3

A2T21H141W24SR3
Mfr. #:
A2T21H141W24SR3
Produttore:
NXP Semiconductors
Descrizione:
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2110-2200 MHz, 36 W Avg., 28 V
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
A2T21H141W24SR3 Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Maggiori informazioni:
A2T21H141W24SR3 maggiori informazioni A2T21H141W24SR3 Product Details
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
NXP
Categoria di prodotto:
Transistor MOSFET RF
Polarità del transistor:
Doppio canale N
Tecnologia:
si
Id - Corrente di scarico continua:
1 A
Vds - Tensione di rottura Drain-Source:
- 500 mV, 65 V
Guadagno:
17.2 dB
Potenza di uscita:
36 W
Temperatura di esercizio minima:
- 40 C
Temperatura massima di esercizio:
+ 150 C
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Pacchetto/custodia:
NI-780S-4
Confezione:
Bobina
Frequenza operativa:
2110 MHz to 2200 MHz
Tipo:
MOSFET di potenza RF
Marca:
Semiconduttori NXP
Numero di canali:
2 Channel
Tipologia di prodotto:
Transistor MOSFET RF
Quantità confezione di fabbrica:
250
sottocategoria:
MOSFET
Vgs - Tensione Gate-Source:
- 6 V, 10 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:
0.8 V
Parte # Alias:
935368003128
Tags
A2T21H1, A2T21H, A2T21, A2T2, A2T
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Immagine Parte # Descrizione
A2T21H100-25SR3

Mfr.#: A2T21H100-25SR3

OMO.#: OMO-A2T21H100-25SR3

RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2170 MHz, 18 W Avg., 28 V
A2T21H140-24SR3

Mfr.#: A2T21H140-24SR3

OMO.#: OMO-A2T21H140-24SR3

RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2170 MHz, 36 W Avg., 28 V
A2T21H141W24SR3

Mfr.#: A2T21H141W24SR3

OMO.#: OMO-A2T21H141W24SR3

RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2110-2200 MHz, 36 W Avg., 28 V
A2T21H100-25SR3

Mfr.#: A2T21H100-25SR3

OMO.#: OMO-A2T21H100-25SR3-NXP-SEMICONDUCTORS

IC RF LDMOS TRANS CELL
A2T21H140-24SR3

Mfr.#: A2T21H140-24SR3

OMO.#: OMO-A2T21H140-24SR3-NXP-SEMICONDUCTORS

RF MOSFET LDMOS DUAL 28V OM780-4
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Available
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