STGB7NB60KDT4

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

Transistor IGBT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Pacchetto/custodia:

D2PAK-3

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

600 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

2.8 V

Tensione massima dell'emettitore di gate:

20 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

14 A

Pd - Dissipazione di potenza:

80 W

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

STGB7NB60KD

Confezione:

Bobina

Corrente continua del collettore Ic Max:

14 A

Altezza:

4.6 mm

Lunghezza:

10.4 mm

Larghezza:

9.35 mm

Marca:

STMicroelectronics

Corrente continua del collettore:

7 A

Corrente di dispersione gate-emettitore:

+/- 100 nA

Tipologia di prodotto:

Transistor IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

IGBT

Unità di peso:

0.079014 oz

Tags

STGB7NB6, STGB7NB, STGB7N, STGB7, STGB, STG