PMCM6501UNEZ

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Nexperia

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

WLCSP-6

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

8.7 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

17 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

400 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

8 V

Qg - Carica cancello:

28 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

12.5 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Nexperia

Transconduttanza diretta - Min:

40 S

Tempo di caduta:

46 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

28 ns

Quantità confezione di fabbrica:

4500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

100 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

7.3 ns

Tags

PMCM6501, PMCM6, PMCM, PMC