IXFN94N50P2

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

Moduli a semiconduttore discreti

Prodotto:

Moduli MOSFET di potenza

Tipo:

MOSFET

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Stile di montaggio:

Montaggio a vite

Pacchetto/custodia:

SOT-227B-4

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Configurazione:

Separare

Tecnologia:

si

Marca:

IXYS

Polarità del transistor:

Canale N

Tempo di caduta:

11 ns

Id - Corrente di scarico continua:

68 A

Tensione di alimentazione operativa:

-

Pd - Dissipazione di potenza:

780 W

Tipologia di prodotto:

Moduli a semiconduttore discreti

Rds On - Resistenza Drain-Source:

55 mOhms

Ora di alzarsi:

34 ns

Quantità confezione di fabbrica:

10

sottocategoria:

Moduli a semiconduttore discreti

Nome depositato:

HiPerFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

67 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

15 ns

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

500 V

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3 V

Tags

IXFN9, IXFN, IXF