FF800R12KE3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

Moduli IGBT

RoHS:

N

Prodotto:

Moduli di silicio IGBT

Configurazione:

Dual

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

1200 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

1.7 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

1200 A

Corrente di dispersione gate-emettitore:

400 nA

Pd - Dissipazione di potenza:

3.9 kW

Pacchetto/custodia:

IHM130

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 125 C

Confezione:

Vassoio

Altezza:

38 mm

Lunghezza:

140 mm

Larghezza:

130 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Tensione massima dell'emettitore di gate:

20 V

Tipologia di prodotto:

Moduli IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

2

sottocategoria:

IGBT

Parte # Alias:

FF800R12KE3NOSA1 SP000100571

Tags

FF800R12, FF800R, FF800, FF80, FF8