SI6968BEDQ-T1-GE3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Vishay

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TSSOP-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

6.5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

22 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

600 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

12 V

Qg - Carica cancello:

18 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.5 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

TrenchFET

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.2 mm

Lunghezza:

4.4 mm

Serie:

SI6

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Larghezza:

3 mm

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconduttanza diretta - Min:

30 S

Tempo di caduta:

510 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

330 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

860 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

245 ns

Parte # Alias:

SI6968BEDQ-GE3

Unità di peso:

0.005573 oz

Tags

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