BDC01DRL1G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-92-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

100 V

Collettore-tensione di base VCBO:

100 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

0.7 V

Corrente massima del collettore CC:

0.5 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

50 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Altezza:

7.87 mm

Lunghezza:

5.21 mm

Confezione:

Massa

Larghezza:

4.19 mm

Marca:

ON Semiconductor

Corrente continua del collettore:

0.5 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

40

Pd - Dissipazione di potenza:

1 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

5000

sottocategoria:

transistor

Tags

BDC01D, BDC01, BDC0, BDC