IXFX21N100F

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

Transistor MOSFET RF

RoHS:

Y

Polarità del transistor:

Canale N

Tecnologia:

si

Id - Corrente di scarico continua:

21 A

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

1000 V

Rds On - Resistenza Drain-Source:

500 mOhms

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-247-3

Confezione:

Tubo

Configurazione:

1 N-Channel

Altezza:

21.34 mm

Lunghezza:

16.13 mm

Larghezza:

5.21 mm

Marca:

IXYS

Transconduttanza diretta - Min:

15 S

Numero di canali:

1 Channel

Modalità canale:

Aumento

Tempo di caduta:

15 ns

Pd - Dissipazione di potenza:

500 W

Tipologia di prodotto:

Transistor MOSFET RF

Qg - Carica cancello:

160 nC

Ora di alzarsi:

16 ns

Quantità confezione di fabbrica:

30

sottocategoria:

MOSFET

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3 V

Unità di peso:

0.158733 oz

Tags

IXFX21, IXFX2, IXFX, IXF