2SD1683S

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-126-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 50 V, 50 V

Collettore-tensione di base VCBO:

60 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

- 6 V, 6 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

- 350 mV, 190 mV

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

150 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

2SD1683

Guadagno di corrente CC hFE Max:

560

Confezione:

Massa

Marca:

ON Semiconductor

Corrente continua del collettore:

- 4 A, 4 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

40

Pd - Dissipazione di potenza:

10 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

200

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.026843 oz

Tags

2SD1683, 2SD168, 2SD16, 2SD1, 2SD