BSO150N03MDGXUMA1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SO-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

9.3 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

12.5 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

17 nC, 17 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

OptiMOS

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.75 mm

Lunghezza:

4.9 mm

Serie:

OptiMOS 3M

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Larghezza:

3.9 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

12 S, 12 S

Tempo di caduta:

4.2 ns, 4.2 ns

Sensibile all'umidità:

sì

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

3.8 ns, 3.8 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

8.7 ns, 8.7 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

7.3 ns, 7.3 ns

Parte # Alias:

BSO150N03MD BSO15N3MDGXT G SP000447476

Unità di peso:

0.019048 oz

Tags

BSO150N03MDG, BSO150N03M, BSO150N0, BSO150, BSO15, BSO1, BSO