NJVMJD44H11T4G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

80 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

1 V

Corrente massima del collettore CC:

16 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

85 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

MJD44H11

Guadagno di corrente CC hFE Max:

60 at 2 A, 1 V

Altezza:

2.38 mm

Lunghezza:

6.73 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

6.22 mm

Marca:

ON Semiconductor

Corrente continua del collettore:

8 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

60

Pd - Dissipazione di potenza:

20 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Qualificazione:

AEC-Q101

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

NJVMJD44H11T4G-VF01

Tags

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