NSVMUN2236T1G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - Pre-polarizzati

RoHS:

Y

Configurazione:

Separare

Polarità del transistor:

NPN

Resistenza di ingresso tipica:

100 kOhms

Rapporto resistore tipico:

1

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-23-3

Guadagno base/collettore DC hfe min:

80

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

50 V

Corrente continua del collettore:

100 mA

Pd - Dissipazione di potenza:

400 mW

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Confezione:

Bobina

Tensione di uscita:

0.2 V

Marca:

ON Semiconductor

Modalità canale:

Aumento

Corrente massima del collettore CC:

100 mA

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari - Prepolarizzati

Qualificazione:

AEC-Q101

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Tags

NSVMUN223, NSVMUN22, NSVMUN2, NSVMU, NSVM, NSV