NP60N04MUG-S18-AY

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Renesas Elettronica

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

40 V

Id - Corrente di scarico continua:

60 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

6.3 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1800 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Altezza:

9 mm

Lunghezza:

10 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

4.5 mm

Marca:

Renesas Elettronica

Tempo di caduta:

10 ns

Sensibile all'umidità:

sì

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

10 ns

Quantità confezione di fabbrica:

900

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

48 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

21 ns

Unità di peso:

0.063493 oz

Tags

NP60N04M, NP60N04, NP60N0, NP60N, NP60, NP6