BSP373N H6327

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-223-4

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

1.8 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

177 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

9.3 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.8 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.6 mm

Lunghezza:

6.5 mm

Serie:

BSP373

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

3.5 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

3.23 S

Tempo di caduta:

13.5 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

5.9 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

21.9 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

4.6 ns

Parte # Alias:

BSP373NH6327XTSA1 SP001059328

Unità di peso:

0.003951 oz

Tags

BSP373NH, BSP373N, BSP373, BSP37, BSP3, BSP