CSD16409Q3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Texas Instruments

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

E

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

VSON-Clip-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

25 V

Id - Corrente di scarico continua:

100 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

9.5 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

16 V

Qg - Carica cancello:

4 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.6 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

NexFET

Confezione:

Bobina

Altezza:

1 mm

Lunghezza:

3.3 mm

Serie:

CSD16409Q3

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

3.3 mm

Marca:

Texas Instruments

Transconduttanza diretta - Min:

38 S

Tempo di caduta:

3.4 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

10.6 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

6.3 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

6.5 ns

Unità di peso:

0.001474 oz

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