RSQ020N03TR

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-457T-6

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

2 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

96 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

2.2 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.25 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.85 mm

Lunghezza:

2.9 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Serie:

RSQ020N03

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

1.6 mm

Marca:

Semiconduttore ROHM

Tempo di caduta:

4 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

9 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

16 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

7 ns

Parte # Alias:

RSQ020N03

Tags

RSQ020, RSQ02, RSQ0, RSQ