ZTD09N50DE6QTA

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-26-6

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Dual

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

50 V

Collettore-tensione di base VCBO:

50 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

7 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

24 mV

Corrente massima del collettore CC:

1 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

215 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

ZTD09N50

Confezione:

Bobina

Marca:

Diodi incorporati

Guadagno base/collettore DC hfe min:

200 at 10 mA, 2 V

Pd - Dissipazione di potenza:

700 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Qualificazione:

AEC-Q101

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.000529 oz

Tags

ZTD