NJVMJD210T4G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DPAK-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

25 V

Collettore-tensione di base VCBO:

40 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

8 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

1.8 V

Corrente massima del collettore CC:

10 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

65 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

MJD210

Guadagno di corrente CC hFE Max:

180 at 2 A, 1 V

Confezione:

Bobina

Marca:

ON Semiconductor

Guadagno base/collettore DC hfe min:

45 at 2 A, 1 V

Pd - Dissipazione di potenza:

12.5 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Qualificazione:

AEC-Q101

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

transistor

Tags

NJVMJD2, NJVMJD, NJVM, NJV