MMSTA06T146

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-23-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

80 V

Collettore-tensione di base VCBO:

80 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

4 V

Corrente massima del collettore CC:

0.5 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

100 MHz

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

MMSTA06

Guadagno di corrente CC hFE Max:

100 at 10 mA, 1 V

Altezza:

0.95 mm

Lunghezza:

2.9 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

1.3 mm

Marca:

Semiconduttore ROHM

Pd - Dissipazione di potenza:

350 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

MMSTA06

Unità di peso:

0.000282 oz

Tags

MMSTA06T, MMSTA06, MMSTA0, MMSTA, MMST, MMS