DSM80100M-7

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-26-6

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Dual

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 80 V

Collettore-tensione di base VCBO:

- 80 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

- 4 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

- 250 mV

Corrente massima del collettore CC:

- 1 A

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

DSM801

Guadagno di corrente CC hFE Max:

500 at - 10 mA, - 1 V

Altezza:

1.1 mm

Lunghezza:

3 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

1.6 mm

Marca:

Diodi incorporati

Corrente continua del collettore:

- 500 mA

Guadagno base/collettore DC hfe min:

120

Pd - Dissipazione di potenza:

600 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Tags

DSM8, DSM