APT12F60K

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Microchip

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

600 V

Id - Corrente di scarico continua:

12 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

620 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

55 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

225 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Marca:

Microchip / Microsemi

Tempo di caduta:

11 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

14 ns

Quantità confezione di fabbrica:

185

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

37 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

12 ns

Unità di peso:

0.063493 oz

Tags

APT12, APT1, APT