TIP29B PBFREE

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore centrale

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

80 V

Collettore-tensione di base VCBO:

80 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

0.7 V

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

3 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

TIP29

Guadagno di corrente CC hFE Max:

75 at 1 A, 4 V

Confezione:

Massa

Marca:

Semiconduttore centrale

Corrente continua del collettore:

1 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

15 at 1 A, 4 V

Pd - Dissipazione di potenza:

2 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

400

sottocategoria:

transistor

Tags

TIP29B, TIP29, TIP2, TIP