IRF100P219XKMA1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-247AC-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

304 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

1.7 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

180 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

341 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

224 S

Tempo di caduta:

80 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

90 ns

Quantità confezione di fabbrica:

400

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

100 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

30 ns

Parte # Alias:

IRF100P219 SP001619552

Tags

IRF100, IRF10, IRF1, IRF