CMNDM8001 TR

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore centrale

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-953

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

200 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

2.4 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

658 pC

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

250 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

cmdm

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Marca:

Semiconduttore centrale

Transconduttanza diretta - Min:

100 mS

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

8000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

80 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

35 ns

Parte # Alias:

CMNDM8001 PBFREE TR

Tags

CMNDM, CMND, CMN