IPB70P04P4-09

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-263-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

40 V

Id - Corrente di scarico continua:

70 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

9.1 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

54 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

75 W

Configurazione:

Separare

Qualificazione:

AEC-Q101

Nome depositato:

OptiMOS

Confezione:

Bobina

Altezza:

4.4 mm

Lunghezza:

10 mm

Serie:

OptiMOS-P2

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Larghezza:

9.25 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Tempo di caduta:

31 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

15 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

24 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

19 ns

Parte # Alias:

IPB70P04P409ATMA1 IPB7P4P49XT SP000735964

Unità di peso:

0.139332 oz

Tags

IPB70, IPB7, IPB