BLW32

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore avanzato, Inc.

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari RF

RoHS:

Y

Tipo di transistor:

Potenza bipolare

Tecnologia:

si

Polarità del transistor:

NPN

Guadagno base/collettore DC hfe min:

20

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

30 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

4 V

Corrente continua del collettore:

1 A

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 200 C

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

SOT-122A

Confezione:

Vassoio

Frequenza operativa:

860 MHz

Tipo:

Potenza bipolare RF

Marca:

Semiconduttore avanzato, Inc.

Pd - Dissipazione di potenza:

10.8 W

Tipologia di prodotto:

Transistor bipolari RF

sottocategoria:

transistor

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BLW32, BLW3, BLW